Caracteristicas clave
- Transistor dual MOSFET N-canal hasta 175 MHz
- Alta ganancia 14.5 dB a 12.5 V
- Eficiencia 55% con disipación 165 W
- Impedancia entrada 4.1 + j0.5 @ 135 MHz
- Resistencia térmica 0.75°C/W para operación a 200°C
- Soporta VSWR 20:1 con protección sobrecalentamiento
