Caracteristicas clave
- Transistor RF de potencia N-Channel MOSFET
- Frecuencia máxima 175 MHz
- Potencia de salida 50 W
- Ganancia 14.5 dB
- Eficiencia del 55%
- Paquete plástico TO-272-6
Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC Características Principales Transistor RF de potencia N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Frecuencia máxima: 175 MHz Potencia de salida: 50 W Voltaje de alimentación: 12.5 V Ganancia: 14.5 dB Eficiencia: 55% Tensión de umbral (VGS(th)): 1-3 V Resistencia de on-state (RDS(on)): 0.5 Ω Paquete plástico con capacidad hasta 200°C
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