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Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).

Especificaciones

MarcaTPL COMMUNICATIONS
ModeloB2114
Garantia3 años
CategoriaRadiocomunicación
CategoriasRadiocomunicación / Refacciones / Misceláneo

Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).

Características Principales Frecuencia de operación: Hasta 470 MHz Potencia de salida: 70 Watts Tensión de alimentación: 12.5 Vdc Ganancia: 11.5 dB Eficiencia: 60% Tecnología: MOSFET de canal N lateral Capacidad para manejar VSWR de 20:1 Paquete plástico capaz de 200°C Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo)

$1309.40 MXNPrecios con IVA, sujetos a disponibilidad de inventario.
Modelo: B2114RadiocomunicaciónTPL COMMUNICATIONS
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Disponibilidad

1 disponibles

Stock validado con proveedor al momento de consultar.

Caracteristicas clave

  • Tecnología MOSFET de canal N lateral
  • Potencia de salida 70 W a 470 MHz
  • Eficiencia del 60% con VDD de 12.5 VDC
  • Capacidad VSWR de 20:1 para alta robustez
  • Paquete plástico TO-272-8 resistente a 200°C
  • Ganancia de 11.5 dB en banda 135-520 MHz

Descripcion detallada

Características Principales

  • Frecuencia de operación: Hasta 470 MHz
  • Potencia de salida: 70 Watts
  • Tensión de alimentación: 12.5 Vdc
  • Ganancia: 11.5 dB
  • Eficiencia: 60%
  • Tecnología: MOSFET de canal N lateral
  • Capacidad para manejar VSWR de 20:1
  • Paquete plástico capaz de 200°C
  • Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo)

Aplicaciones

  • Equipos de comunicación móvil FM
  • Amplificadores de señal RF
  • Equipos industriales y comerciales
  • Sistemas de radiofrecuencia

Características de Diseño

  • Estabilidad térmica excelente
  • Parámetros de impedancia equivalente en serie
  • Disponibilidad de información del amplificador de demostración
  • Paquete plástico TO-272-8
  • Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm)
  • Voltage D-S: +0.5 a +40 Vdc
  • Voltage G-S: ±20 Vdc
  • Disipación: 165 W @ 25°C
  • Derating: 0.5 W/°C sobre 25°C
  • T. Almacenamiento: -65 a +150 °C
  • T. Unión: 200 °C
  • RθJC: 0.29 °C/W

Frecuencias de Operación

  • 135-175 MHz
  • 400-470 MHz
  • 450-520 MHz

Configuración del Amplificador

  • Amplificador de fuente común
  • Polarización de compuerta y drenaje
  • Redes de entrada/salida con microstrip
  • Componentes pasivos de RF

Condiciones de Prueba

  • VDD = 12.5 Vdc
  • IDQ = 800 mA
  • Frecuencia de prueba: 470 MHz
  • Pout = 70 W
  • Pin = 36-38 dBm

Componentes de Prueba

  • Condensadores de chip de 100 mil
  • Inductores de 1 a 2 vueltas
  • Resistencias de chip (1206)
  • Beads de ferrita
  • Microstrip de diferentes dimensiones
  • Condensadores electrolíticos

Condiciones Ambientales

  • Temperatura de prueba: 25°C
  • Temperatura de almacenamiento: -65 a +150 °C
  • Temperatura de operación: Hasta 200 °C

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